JCS10N60CT Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 20pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品 Features zLow gate charge zLow Crss (typical 20pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS10N60CT-O-C-N-B JCS10N60FT-O-F-N-B JCS10N60FT-R-F-N-B JCS10N60CT JCS10N60FT JCS10N60FT 封装 Package TO-220C TO-220MF TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 是...