MS65R120 Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET MS65R120 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 30A 650 V 0.120Ω 58.4 nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED power supply 产品特性 低栅极电荷 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 超结产品.
MS65R120 Key Features
- Low gate charge -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product -Super Junction MOS
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 0.107 0.12 Ω
- 2598 4000 pF
- 96 200 pF