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Siemens Electronic Components Datasheet

LD268 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays

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GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260
LD 262 ... LD 269
Chip
7.4
7.0
position
0.5
0.4
2.54 mm
spacing
0.7
0.6
A
1.4
1.0
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
0 ... 5
0.4 A
0.25
0.15
2.1
1.5
GEO06367
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Same package as BPX 80 series
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape-readers
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1997-11-01



Siemens Electronic Components Datasheet

LD268 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays

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LD 260
LD 262 ... LD 269
Typ
Type
LD 262
LD 263
LD 264
LD 265
LD 266
LD 267
LD 268
LD 269
LD 260
IRED
Maß “A” Bestellnummer Gehäuse
pro Zeile
per Row Dimension “A” Ordering Code Package
min. max.
2 4.5 4.9 Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,
3
4
7
9.6
7.4
10
Q62703-Q71
Q62703-Q72
klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung:
5 12.1 12.5 Q62703-Q73 Nase am Lötspieß
6
14.6 15
Q62703-Q74 Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
7
17.2
17.6
Q62703-Q75
2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
8 19.7 20.1 Q62703-Q76 projection at solder lead
9 22.3 22.7 Q62703-Q77
10 24.8 25.2 Q62703-Q78
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
Tj
VR
IF
IFSM
Ptot
RthJA
RthJL
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
80 °C
5V
50 mA
1.6 A
70 mW
750 K/W
650 K/W
Semiconductor Group
2
1997-11-01


Part Number LD268
Description GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
Maker Siemens Group
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