LD274-3 emitter equivalent, gaas-ir-lumineszenzdiode gaas infrared emitter.
q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert li.
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten Typ Type LD 274 .
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation.
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