| Part number | W2XN003 |
|---|---|
| Datasheet | W2XN003-XINSUN.pdf |
| File Size | 182.60 KB |
| Manufacturer | XINSUN |
| Description | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W2XN003 高频放大环境额定双极型晶体管 文件编号 版本号 页码 XS-W-003 16-B1-05 1/2 1 主要用途及主要特点 1.1 主要用途 用 W2XN003 芯片封装的成品管主要用于 VHF 中作本振及电话机电路。 1.2 特点 特征频率高 反向漏电小 2 芯片数据 芯片示意图 芯片尺寸（㎜×㎜） 芯片厚度（µm） 划片道 尺寸（µm） 键合区面积 (µm2) 基区 发射区 钝化层 正面电极金属 背面电极金属(表层) 装片要求（推荐） 硅片直径（㎜）.
| Part Number | Description |
|---|---|
| W2XN004 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN021 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN9155 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
| W2XN934 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
| W2XN9386 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
| W2XN9500 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
