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W2XN003 Datasheet Preview

W2XN003 Datasheet

High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor

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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN003
高频放大环境额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-W-003
16-B1-05
1/2
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
W2XN003 芯片封装的成品管主要用于 VHF 中作本振及电话机电路。
1.2 特点
● 特征频率高
● 反向漏电小
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(㎜×㎜)
芯片厚度(µm
划片道*尺寸(µm
键合区面积
(µm2)
基区
发射区
钝化层
正面电极金属
背面电极金属(表层)
装片要求(推荐)
硅片直径(㎜)
键合要求(推荐)
0.32×0.26
170±20
40
φ66
φ66
金属
Si3N4
厚度(µm)
1.4±0.3
金银
共晶 低温共晶
φ125
金丝:Φ20µmEB 区各一根
* 划片道位置示意图:
走刀参考线
划片道
备注:划片道两侧的铝条不断裂即判为合格。
江阴新顺微电子有限公司
地 址:江苏省江阴市滨江中路 275
网址:http://www.xinshun.cn
电 话:(051086851182 86852109
传真:(051086851532




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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN003
高频放大环境额定双极型晶体管
文件编号 XS-W-003
版 本 号 16-B1-05
页 码 2/2
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号 额定值
集电极-基 极电压
VCB0 25
集电极-发射极电压
VCE0 18
发射极-基 极电压
VEB0 5
集电极电流
IC 50
耗散功率(Tamb =25)
Ptot 0.3
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55150
单位 备注
V
V 推荐封装形式:TO-92
V 推荐成品型号:
mA 3DG9018
W
3.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0 VCB=20V, IE=0
IEB0 VEB= 3.5V ,IC=0
共发射极正向电流传输比
的静态值
hFE
VCE= 5V, IC=1 mA
集电极-发射极饱和电压
特征频率
VCEsat IC=10mA, IB=1mA
fT
VCE=5V,IC= 5mA
f=400MHZ
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
28 198
0.5
600
单位
μA
μA
V
MHz
注意事项:
芯片存储条件(推荐):氮气保护,温度 25±5℃,湿度≤45%
本产品说明书仅供参考,不作为合同的一部分,具体以双方签订的技术协议为准;
本产品说明书如有版本变更,恕不另行告知!客户在下单前应获取最新版本资料并验证相
关信息是否完整和更新;
任何半导体产品在特定条件下都有发生失效或故障的可能,买方有责任在使用新顺产品时
遵守安全使用标准并采取安全措施,以避免潜在的失效或故障风险造成人身伤害或财产损
失的发生。
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Part Number W2XN003
Description High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor
Maker XINSUN
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