KT819G Datasheet (ETC) - high power low frequency NPN Bipolar transistor

KT819G, high power low frequency NPN Bipolar transistor

Транзисторы биполярные n-p-n большой мощности низкой и средней частоты Название КТ819Г Материал Si Ik max,A 10 Ik и max,A 15 Uкэo гр(Uкэо,и max)[Uкэr max],B80 Uэбо max(Uэбо,и max),B 5 Pк max(Pк,ср max)(Pк,и max),Вт 60 при Tк(T),C 25 Tк max(T max),C 100 h21э(h21э)[S21 тип] 12 при Uкэ(Uкб),B [5] Uкэ нас,B 5 Iкб0(Iкэr){Iкэо},mA 2 fгр(fh21),MГц 1 Ск,пф 3 Сэ,пф 1000 tвыкл(tрас)[tсп],мкс 2.5 Rт п-к(Rт п-с),С/Вт 1.67