* Low inductive design
* Low Switching Losses
* Trench IGBT 3
* Low VCEsat Mechanical Features
* Al2O3 Substrate with Low Thermal Resistance
* Compact design
* Solder Contact Technology
* Rugged mounting due to integrated mounting clamp
F4-75R06W1E3 Datasheet (789.18 KB)
F4-75R06W1E3
789.18 KB
Igbt.
Technische Information / Technical Information
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F4-75R06W1E3
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