F4-100R17ME4_B11 Datasheet - Infineon

F4-100R17ME4_B11 IGBT

F4-100R17ME4_B11 EconoDUAL™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode Potentielle Anwendungen Hochleistungsumrichter Mittelspannungsantriebe Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Große DC-Festigkeit Hohe Kurzschlussrobustheit Niedriges VCEsat Tvj op = 150°C Trench IGBT 4 VCEsat mit positivem Temperatur.

F4-100R17ME4_B11 Features

* High DC stability

* High short-circuit capability

* Low VCEsat

* Tvj op = 150°C

* Trench IGBT 4

* VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features

* Al2O3 substrate with low thermal resistance

* Isolated base plate

F4-100R17ME4_B11-Infineon.pdf