FZ1000R33HE3 Datasheet - Infineon

FZ1000R33HE3 IGBT

FZ1000R33HE3 IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A Potentielle Anwendungen Chopper-Anwendungen Mittelspannungsantriebe Motorantriebe Traktionsumrichter USV-Systeme Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Große DC-Festigkeit Hohe Kurzschlussrobustheit

FZ1000R33HE3 Features

* High DC stability

* High short-circuit capability

* Low switching losses

* Low VCEsat

* Unbeatable robustness

* Tvj op = 150°C

* VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features

* AlSiC base plate for increased therma

FZ1000R33HE3-Infineon.pdf