FZ1000R33HL3 Datasheet - Infineon

FZ1000R33HL3 IGBT

FZ1000R33HL3 IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A Potentielle Anwendungen Chopper-Anwendungen Mittelspannungsantriebe Motorantriebe Traktionsumrichter USV-Systeme Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Große DC-Festigkeit Hohe Kurzschlussrobustheit Niedrige.

FZ1000R33HL3 Features

* High DC stability

* High short-circuit capability

* Low VCEsat

* Unbeatable robustness

* Tvj op = 150°C

* VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features

* AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

FZ1000R33HL3-Infineon.pdf