KT209M Datasheet - Integral

KT209M PNP Transistor

КТ209 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. Зарубежный прототип прототип MPS404 Номер технических условий аАО.336.065 ТУ / 02 Особенности Диапазон рабочих температур от - 45 до + 100°C Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выв.

KT209M Datasheet (186.31 KB)