HRI82N10K
SemiHow
190.57kb
N-channel mosfet.
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📁 Related Datasheet
HRI105N15H - N-Channel Trench MOSFET
(SemiHow)
HRW105N15H_HRI105N15H
Fab 2016
HRW105N15H/HRI105N15H
150V N-Channel Trench MOSFET
Features
High Speed Power Switching, Logic Level Enhanced Bod.
HR-CR3A - 5A to 16A low-profile power relay
(HanKuk)
HR-CR3A HR
5A to 16A low-profile power relay
RoHS
P.C. BOARD POWER RELAY
Features
5mm lower in height than HR-CR3 series Wide contact arrangements .
HR-CR3N23 - 5A Power Relay
(HanKuk)
.
HR-CR7 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC05 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC06 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC09 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC12 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC18 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC24 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .