LD242 GaAs Infrared Emitter

Siemens Group

Description

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 ø0.45 2.54 mm spacing Chip position ø4.3 ø4.1 1 0.9 .1 1.1 .9 0 2.7 1 14.5 12.5 3.6 3.0 .
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current Stoßstro.

📥 Download Datasheet

LD242 Datasheet Preview — Preview of LD242 PDF

Datasheet Specifications

Part number: LD242
Manufacturer: Siemens Group
File Size: 39.85 KB
Datasheet: LD242_SiemensSemiconductorGroup.pdf
Description: GaAs Infrared Emitter

Features

* q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q q Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG liquid phase epitaxy process Cathode is

Applications

* q IR remote control and sound transmission q Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Typ Type LD 242-2 LD 242-3 LD 242 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 Gehäuse Package Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Ras

LD242 Distributors

📁 Related Datasheet

LD24E-07-300 LD24E-08-350 LD24E-12-500 LD24E-14-600 LD24E-17-700 LD24E-xx-xxx

📌 All Tags

LD242 GaAs Infrared Emitter Siemens Group

Siemens Group LD242-like datasheet