LD242 Datasheet - Siemens Group

LD242, GaAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 ø0.45 2.54 mm spacing Chip position ø4.3 ø4.1 1 0.9 .1 1.1 .9 0 2.7 1 14.5 12.5 3.6 3.0 .
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current Stoßstro.

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Datasheet Details

Part number:

LD242

Manufacturer:

Siemens Group

File Size:

39.85 KB

Description:

GaAs Infrared Emitter

Features

* q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q q Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG liquid phase epitaxy process Cathode is

Applications

* q IR remote control and sound transmission q Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Typ Type LD 242-2 LD 242-3 LD 242 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 Gehäuse Package Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Ras

LD242 Distributors

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LD242 GaAs Infrared Emitter Siemens Group

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