LD274-3 Datasheet - Siemens Group

LD274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA .

LD274-3 Features

* q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in group

LD274-3 Datasheet (34.63 KB)