LD274 Datasheet (Siemens Group) - GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

LD274, GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA

LD274 Features

* q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in group