BP104S Datasheet - Siemens Semiconductor Group

BP104S Silicon Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value * 40 + 85 20 150 Einheit Unit °C V mW Top; Tstg VR Ptot Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characte.

Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S Chip position 00.1 1.2 1.1 0.3 1.1 0.9 0.2 0.1 6.7 6.2 4.5 4.3 1.6 ±0.2 0.9 0.7 GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten q SMT-fähig Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q.

BP104S Features

* q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering q Suitable for SMT Applications q Photointerrupters q IR remote controls q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type BP 104 S

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