BP103 Datasheet - Siemens Semiconductor Group

BP103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron sold.

BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares EpoxyGieβharz, mit Basisanschluβ Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BP 103 BP 103-2 BP .

BP103 Features

* q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm q High linearity q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens, with base connection Applications q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Bestellnummer Ordering Code

BP103_SiemensSemiconductorGroup.pdf