BP103 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron sold
BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares EpoxyGieβharz, mit Basisanschluβ Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BP 103 BP 103-2 BP
BP103 Features
* q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm q High linearity q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens, with base connection Applications q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Bestellnummer Ordering Code
