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Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
BPW 33
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip position
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
1.8 1.4
3.5 3.0
0.6 0.4 2.2 1.9
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Sperrstromarm (typ. 20 pA) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen q Belichtungsmesser q Farbanalyse
Features
q Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q Low reverse current (typ.
BPW33 Datasheet
