Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Sym
BPX63 Features
* q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q Low reverse current (typ. 5 pA) q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens Applications q Exposure meters, automatic exposure timers Typ Type BPX 63 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P55 Semiconductor Group 361 10.95 fet06
BPX63_SiemensSemiconductorGroup.pdf
Datasheet Details
BPX63
Siemens Semiconductor Group
194.07 KB
Silizium-fotodiode mit sehr kleinem dunkelstrom silicon photodiode with very low dark current.
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