BPX66 Datasheet - Siemens Semiconductor Group

BPX66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Symbol Symbo.

BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit q BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA) q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC1) Anwendungen q schneller optischer Empfänger mit groβer Modulationsbandbreite Typ Type BPX 65 BPX 66 Bestell.

BPX66 Features

* q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q BPX 65: high photosensitivity q BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA) q Hermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 oC1) Applications q Fast optical sensor of high modulation bandwidth Gehäuse Package 18 A3 DIN 418

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Datasheet Details

Part number:

BPX66

Manufacturer:

Siemens Semiconductor Group

File Size:

207.53 KB

Description:

Silizium-pin-fotodiode silicon pin photodiode.

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