SFH303 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t
SFH303 Features
* q Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet und gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SF
