SFH309P - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t
SFH309P Features
* q Especially suitable for applications from Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA) q Hohe Linearität q 3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of 880 nm (SFH 309 P
