LPT80 Datasheet (Siemens Semiconductor) - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

LPT80, NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total pow

LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 1.52 1.29 1.14 4.57 4.32 2.54 2.03 2.34 2.08 Collector 1.52 Plastic marking 1.70 1.45 GEO06391 0.64 0.46 0.64 0.46 R = 0.76 feo06391 Approx.

weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hoh

LPT80 Features

* q Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm q Sidelooker in plastic package q High sensitivity q Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications q A variety of manufacturing and monitoring applications q Photointerrupters Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1