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2301
18V P MOS
VDS= -18V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A =60mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 82mΩ@TYP
、
SOT- 23
S ou rc e
ek Gate
rceT 、(TA= 25℃,)
ou
S
ip
h C
TA=25℃ TA=75℃
D ra in P-Channel MOSFET
VDS VGS ID IDM
PD
TJ, Tstg
-18 ±12 -2.8 -6 1.25 0.8 -55 to 150
V A W ℃
(PCB )
RθJA
140
W/℃
:1、。
2、:。
TEL: +86-0755-27595155 27595165 FAX: +86-0755-27594792 WEB:Http://www.ChipSourceTek.com E-mail: Sales@ChipSourceTek.com Tony.Wang@ChipSourceTek.com
2301
18V P MOS
、
BVDSS
VGS = 0V, ID = 250uA
-12
-18
--
V
RDS(on)
VGS = -4.5V, ID = -1A
--
RDS(on)
VGS = -2.5V, ID = -0.5A
--
60
85
mΩ
82
115
mΩ
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 250uA
-0.4
-0.7
-1.