BU103T Description
BU103T 硅 NPN 大功率晶体管 主要用途 : 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 主要特点: 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 封装形式: TO-92 极限值:( Tc=25 ℃ ) 参 数 名称 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度 符号 BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg TO-92.
BU103T is NPN Transistor manufactured by Crystal Electronics.
BU103T 硅 NPN 大功率晶体管 主要用途 : 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 主要特点: 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 封装形式: TO-92 极限值:( Tc=25 ℃ ) 参 数 名称 集电极-发射极击穿电压 集电极-基极击穿电压 发射极-基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度 符号 BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg TO-92.