BU103T Overview
BU103T 硅 NPN 大功率晶体管 主要用途 ： 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 主要特点： 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 封装形式： TO-92 极限值：( Tc=25 ℃ ) 参 数 名称 集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度 符号 BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg TO-92.
Datasheet Details
| Part number | BU103T |
|---|---|
| Datasheet | BU103T-CrystalElectronics.pdf |
| File Size | 58.76 KB |
| Manufacturer | Crystal Electronics |
| Description | NPN Transistor |
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