EMZBB0N10J Datasheet | Excelliance MOS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  200mΩ  ID  1.7A    Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  LIMITS  ±20  1.7  1.1  6.8  1.25  0.5  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐ Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％             ...