EMZFA1P03Z Datasheet | Excelliance MOS

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.)  110mΩ  ID  ‐2.4A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  395°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.            2015/9/2  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL    LIMITS  ±12  ‐2.4  ‐1.8  ‐9.6  1.3 ...