Click to expand full text
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications
ElectricalFeatures • LowInductiveDesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to in