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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
J
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften • 3kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypicalApplications • 3-level-applications • Solarapplications
ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses • LowVCEsat
MechanicalFeatures • 3kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Comp