Click to expand full text
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FZ800R12KS4_B2
HochleistungsmodulmitAlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithAlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
FZ800R12KS4_B2 Datasheet
