JCS18N50H Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 18 A 500 V 0.27Ω 50nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 25pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS18N50H Key Features
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 0.22 0.27 Ω
- 2300 2920 pF
- 350 450 pF
- 27 43 pF
- 53 130 ns
- 169 350 ns