JCS18N50WH Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 19 A 500 V 0.27Ω 50nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 25pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品 Features zLow gate charge zLow Crss (typical 25pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product 封装 Package 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS18N50WH-O-W-N-B JCS18N50WH 封装 Package TO-247 无卤素 Halogen Free 否 NO 包装 器件重量 Packaging Device Weight 条管 Tube 5.20g(typ) 版本：201105A 1/8 绝对最大额定值 ABSOLUTE...