JCS20N60CAH Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 20 A 600 V 0.39Ω 50n C 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 85p F) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 85p F ) z Fast switching z100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes JCS20N60CAH-O-CA-N-B 印记 Marking 封装 Package TO-220AB 无卤素 Halogen Free 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 器件重量 Device Weight 2.20 g(typ) 版本：201409B 1/8 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 符号 数值 单位 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage Symbol VDSS Value...