JCS20N65H Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 20A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.43 Ω Qg 50nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z LED 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z LED power supply 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 85pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品 Features zLow gate charge zLow Crss (typical 85pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking 封装 Package 无卤素 Halogen Free JCS20N65WH-O-W-N-B JCS20N65WH TO-247 否 NO JCS20N65FH-O-F-N-B JCS20N65FH TO-220MF 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 5.20 g(typ)...