JCS20N65EI Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65EI 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （Vgs=10V） Qg-Typ 20A 650V 0.42Ω 64.6nC 用途 ⚫ 高频开关电源 ⚫ 电子镇流器 ⚫ LED 电源 APPLICATIONS ⚫ High efficiency switch mode power supplies ⚫ Electronic lamp ballasts based on half bridge ⚫ LED power supplies 产品特性 ⚫ 低栅极电荷 ⚫ 开关速度快 ⚫ 产品全部经过雪崩测试 ⚫高抗 dv/dt 能力 ⚫RoHS.
JCS20N65EI Key Features
- Low gate charge -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=0V, VGS =30V
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 0.38 0.42 Ω
- 0.7 0.8 Ω
- 0.9 1.0 Ω
