Datasheet Summary
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
JCS4N60B
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
4.0 A
VDSS
600 V
Rdson（Vgs=10V） 2.4Ω
Qg
18.1nC
用途
- 高频开关电源
- 电子镇流器
- LED 电源
APPLICATIONS
- High efficiency switch mode power supplies
- Electronic lamp ballasts based on half bridge
- LED power supplies
产品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss (典型值 2.69pF)
- 开关速度快
- 产品全部经过雪崩测试
- 高抗 dv/dt 能力
- RoHS 产品
Features
- Low gate charge
- Low Crss (typical 2.69pF )
- Fast...
