JCS630 Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 9.0A 200 V 0.4Ω 22nC 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 - 高频开关电源 - 电子镇流器 - UPS 电源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on half bridge - UPS 产品特性 - 低栅极电荷 - 低 Crss (典型值 22pF) - 开关速度快 - 产品全部经过雪崩测试 - 高抗 dv/dt 能力 - RoHS 产品 Features - Low gate charge - Low Crss (typical 22pF ) - Fast switching - 100% avalanche tested - Improved dv/dt capability - RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes JCS630V-O-V-N-B JCS630R-O-R-N-B JCS630R-O-R-N-A JCS630S-O-S-N-B JCS630B-O-B-N-B JCS630C-O-C-N-B JCS630F-O-...