JCS630C Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS630V/R/S/B/C/F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 9.0 A 200 V 0.4 Ω 22 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 23pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 23pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS630V-O-V-N-B JCS630R-O-R-N-B JCS630R-O-R-N-A JCS630S-O-S-N-B JCS630B-O-B-N-B JCS630C-O-C-N-B JCS630F-O-F-N-B 印 记 封 IPAK DPAK DPAK TO-263 TO-262...