JCS65N20ABT Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS65N20ABT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 65A VDSS 200 V Rdson（@Vgs=10V） 25mΩ Qg 120nc 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS65N20ABT Key Features
- Low gate charge -Low Crss -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 25 32 mΩ 50
- 4100 4920 pF
- 970 1164 pF
- 130 160 pF