JCS65N20T Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS65N20T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 65A 200 V 32mΩ 120nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS65N20T Key Features
- Low gate charge -Low Crss -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 正向栅极体漏电流
- 100 nA
- 100 nA
- 25 32 mΩ
- 4100 4920 pF
- 970 1164 pF
- 130 160 pF