JCS8N60 Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

.Data Sheet.co.kr N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.5 A 600 V 1.2 Ω 54 n C APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 23p F ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 23p F) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS8N60S-O-S-N-B JCS8N60B-O-B-N-B JCS8N60C-O-C-N-B JCS8N60F-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 NO NO NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 1.37 g(typ) 1.71 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS8N60S JCS8N60B JCS8N60C JCS8N60F Package TO-263 TO-262 TO-220C TO-220MF Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 版本：201007A 1/12 Datasheet pdf - http://..net/ .Data Sheet.co.kr ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 号 数 JCS8N60S/B/C 600 7.5 4.4 28 ±30 420 7.5 14.7 5.5 147 48 值 单 JCS8N60F 600 7.5- 4.4- 28- 位 Unit V A A A V m J A m J V/ns W Value 项 绝对最大额定值 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM VGSS -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） EAS Single Pulsed Avalanche Energy （note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） IAR EAR 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） PD TC=25℃ -Derate above 25℃ Temperature TJ，TSTG 耗散功率 Power...