JCS8N65B Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

.Data Sheet.co.kr N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.0 A 6R 0 V 1. Ω 25 n C APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 16p F ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 16p F) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS8N65CB-O-C-N-B JCS8N65FB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS8N65CB JCS8N65FB Package TO-220C TO-220MF Packaging 条管 Tube 条管 Tube 版本：201011A 1/10 Datasheet pdf - http://..net/ .Data Sheet.co.kr 绝对最大额定值 项 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 号 数 JCS8N65CB 650 7.0 4.3 30 ±30 590 7.0 14.0 4.5 142 值 Value Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM VGSS 单 位 JCS8N65FB 650 7.0- 4.3- 30- Unit V A A A V m J A m J V/ns -continuous...