JCS8N60FB Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS8N60CB/FB 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 7.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 1.2 Ω Qg 25 n C 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 16p F) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 16p F ) z Fast switching z100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS8N60CB-O-C-N-B JCS8N60CB JCS8N60FB-O-F-N-B JCS8N60FB 封装 Package TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 包 装 器件重量 Packaging Device Weight 条管 Tube 条管 Tube 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：201004B 1/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS...