3DD5032P
FEATURES
- 3DD5032P是NPN 双极
- 3DD5032P is high breakdown
型高反压大功率晶体管，制 造中采用的主要工艺技 术有：高压平面工艺技 术、三重扩散技术等,采 用塑料全包封结构。环保 voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage planar process, triple diffused process etc., adoption of
（Ro HS）产品。 fully plastic packge. Ro HS product.
等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号 Order codes
3DD5032P-O-A-N-D
印记 Marking
D5032
无卤素 Halogen Free
否 NO
封装 Package
TO-3P(H)IS
包装 Packaging
泡沫 Foam
版本：201412A
1/5
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
Parameter 集电极- 基极直流电压 Collector- Base Voltage
Symbol
BVCBO
集电极- 发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage
BVCEO
发射极- 基极直流电压 Emitter- Base Voltage 最大集电极电流 Collector Current 最大基极直流电流 Base Current
直流 DC
脉冲 Pulse
BVEBO
IC ICP
最大集电极耗散功率 Collector Power Dissipation
最高结温 Max. Junction Temperature
Tj
储存温度 Storage Temperature...
