JCS90N10I Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS90N10I 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1t0yVp） Qg-typ 用途 高功率 DC/DC 转换与 功率开关 直流电机控制 汽车应用 不间断电源 产品特性 低栅极电荷 低 Rdson 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 90A 100V 7.0mΩ 98nC APPLICATIONS High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive applications Uninterruptible power supply.
JCS90N10I Key Features
- Low gate charge -Low Rdson -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage
- Derate above
- 55～+175
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- V 1 μA 10 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 7.0 9.0 mΩ