JT05N065VAD Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT05N065RAD/VAD/SAD 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC 5A VCES 650V Vcesat-ty（p Vge=15V） 1.7V 用途 逆变器 PDP UPS 电源 APPLICATIONS General purpose inverters PDP UPS 产品特性 低栅极电荷 FS 技术 通态压降 RoHS.
JT05N065VAD Key Features
- Low gate charge -FS Technology
- saturation voltage -RoHS product
- 连续集电极电流
- 55～+150
- 连续集电极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature
- 55～+150
- V/℃ Coefficient
- 200 nA
- 200 nA