JHW5N50F Datasheet | Jin-ec Electronic

Shanghai Jin-ec Electronic&Technology Co., Ltd N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW5N50封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 1. Ω Qg 32 n C 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 17p F) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 17p F ) z Fast switching z100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 1/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 符号 Symbol 数值 Value JHW5N50 VDSS ID T=25℃ T=100℃ 5 2.9 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy （note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note...