JHW5N50R Overview
Shanghai Jin-ec Electronic&Technology Co., Ltd N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW5N50封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 1. Ω Qg 32 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 17pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JHW5N50R Key Features
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 1.16 1.6 Ω
- 800 1050 pF
- 76 100 pF
- 17 22 pF
- 15 40 ns
- 40 90 ns