LS3N166 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL LS3N166  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1@ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  The hermetically sealed TO-78 package is well suited Storage Temperature  ‐65°C to +200°C  for high reliability and harsh environment applications. Operating Junction Temperature  ‐55°C to +150°C  Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)  +300°C  (See Packaging Information). Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation (one side)  300m W  LS3N166 Features : Total Derating above 25°C 4.2 m W/°C  MAXIMUM CURRENT - Very high Input Impedance Drain Current  50m A  - Low Capacitance MAXIMUM VOLTAGES  - High Gain - High Gate Breakdown Voltage Drain to Gate or Drain to Source2  ‐30V  - Low Threshold Voltage Peak Gate to Source3 ±125V  Gate‐Gate Voltage  ±80V  LS3N166 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  IGSSR  Gate Reverse Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10    VGS = ‐0V    IGSSF  Gate Forward Current   ‐‐  ‐‐  ‐10  VGS = ‐40V  p A    TA= +125°C  ‐‐  ‐‐  ‐25  IDSS  Drain to Source Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐200  VDS = ‐20V  ISDS  Source to Drain Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐400  VSD = ‐20V  VDB = 0  ID(on)  Drain Current “On”  ‐5.0  ‐‐  ‐30  m A  VDS = ‐15V,  VGS = ‐10V  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  V  VDS = ‐15V,   ID = ‐10µA  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS =  VGS ,   ID = ‐10µA  r DS(on)  Drain to Source “On” Resistance  ‐‐  ‐‐  300  Ω  VGS = ‐20V,   ID = ‐100µA  gfs  Forward Transconductance  1500  ‐‐  3000  µS  VDS = ‐15V,    ID = ‐10m A ,   f = 1k Hz  The LS3N166 is a dual enhancement mode P-Channel Mosfet and is ideal for space constrained applications and those requiring tight electrical matching. gos  Ciss  Crss  Coss  RE(Yfs)  ..  Input Capacitance  ‐‐  ‐‐  3      p F  VDS = ‐15V,    ID = ‐10m A ,   f = 1MHz4  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  ‐‐  0.7  Output Capacitance  ‐‐  ‐‐  3.0  mon Source Forward  1200  ‐‐  ‐‐  µS  VDS = ‐15V,    ID = ‐10m...