LD242 Description
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS pliant LD 242 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich.
LD242 Key Features
- Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Wide beam Sa
- DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG